MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N...MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管型號(hào)和增強(qiáng)型的P溝道MOS管型號(hào)，...
KIA半導(dǎo)體專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)MOS管場(chǎng)效應(yīng)管廠家KIA半導(dǎo)體專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)MOS管場(chǎng)效應(yīng)管廠家
如何取舍好MOS管 第一步是決議采納N溝道還是P溝道MOS管。正在垂范的功...如何取舍好MOS管 第一步是決議采納N溝道還是P溝道MOS管。正在垂范的功率使用中，當(dāng)一度MOS管接地，而負(fù)載聯(lián)接到支線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu) 成了高壓側(cè)電...
場(chǎng)效應(yīng)管引見篇 場(chǎng)效應(yīng)結(jié)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））職稱...場(chǎng)效應(yīng)管引見篇 場(chǎng)效應(yīng)結(jié)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））職稱場(chǎng)效應(yīng)管。由少數(shù)載流子參加導(dǎo)熱，也稱為多極型結(jié)晶體管。它歸于電壓掌握型半超導(dǎo)體...
KIA6N70H場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓700V、漏極電流5.8A，RDS(on)typ為1.8Ω@VGS=10V...KIA6N70H場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓700V、漏極電流5.8A，RDS(on)typ為1.8Ω@VGS=10V，具有低柵電荷（典型16NC）、高耐用性、快速切換和雪崩測(cè)試100%、具備提高dv/dt能力...
廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司-商標(biāo) 深圳市金泰子實(shí)業(yè)有限公司-商標(biāo) 深圳市福...廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司-商標(biāo) 深圳市金泰子實(shí)業(yè)有限公司-商標(biāo) 深圳市福田區(qū)可得電子設(shè)備商行-商標(biāo)
