男人狂躁进女人下面视频_youjizz丰满熟妇中国_高冷男受用钢笔玩自己_精品国产拍国产天天人_无码欧美熟妇人妻AV视频

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

雪崩,雪崩二極管內(nèi)置,器件,靜電毀壞原因等-漲知識必讀

信息來源：本站　日期：2017-09-29　

分享到：

雪崩二極管

第一種：雪崩毀壞

假如在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且到達擊穿電壓V(BR)DSS （依據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)作毀壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負載的開關運轉(zhuǎn)斷開時產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區(qū)而招致毀壞的形式會惹起雪崩毀壞。典型電路：
雪崩二極管
雪崩二極管

第二種：器件發(fā)熱損壞

由超出安全區(qū)域惹起發(fā)熱而招致的。發(fā)熱的緣由分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。直流功率緣由：外加直流功率而招致的損耗惹起的發(fā)熱
●導通電阻RDS(on)損耗（高溫時RDS(on)增大，招致一定電流下，功耗增加）
●由漏電流IDSS惹起的損耗（和其他損耗相比極?。┧矐B(tài)功率緣由：外加單觸發(fā)脈沖
●負載短路
●開關損耗（接通、斷開） *（與溫度和工作頻率是相關的）
●內(nèi)置二極管的trr損耗（上下橋臂短路損耗）（與溫度和工作頻率是相關的）器件正常運轉(zhuǎn)時不發(fā)作的負載短路等惹起的過電流，形成瞬時部分發(fā)熱而招致毀壞。
另外，由于熱量不相配或開關頻率太高使芯片不能正常散熱時，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超出溝道溫度招致熱擊穿的毀壞。
雪崩二極管
雪崩二極管


第三種：內(nèi)置二極管毀壞

在DS端間構成的寄生二極管運轉(zhuǎn)時，由于在Flyback時功率MOSFET的寄生雙極晶體管運轉(zhuǎn)，招致此二極管毀壞的形式。


雪崩二極管
雪崩二極管


第四種：由寄生振蕩導致的毀壞

此毀壞方式在并聯(lián)時特別容易發(fā)作在并聯(lián)功率MOSFET時未插入柵極電阻而直接銜接時發(fā)作的柵極寄生振蕩。高速重復接通、斷開漏極-源極電壓時，在由柵極-漏極電容Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg構成的諧振電路上發(fā)作此寄生振蕩。當諧振條件(ωL=1/ωC)成立時，在柵極-源極間外加遠遠大于驅(qū)動電壓Vgs(in)的振動電壓，由于超出柵極-源極間額定電壓招致柵極毀壞，或者接通、斷開漏極-源極間電壓時的振動電壓經(jīng)過柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形堆疊招致正向反應，因而可能會由于誤動作惹起振蕩毀壞。
雪崩二極管
雪崩二極管



第五種：柵極電涌、靜電毀壞

主要有因在柵極和源極之間假如存在電壓浪涌和靜電而惹起的毀壞，即柵極過電壓毀壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端（包括裝置和和測定設備的帶電）而招致的柵極毀壞。
雪崩二極管
雪崩二極管
雪崩二極管


聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話：0755-83888366-8022

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”

長按二維碼識別關注