MOS的集成：CMOS、BICMOS/BIMOS、HV-CMOS這幾個(gè)型號(hào)是有什么區(qū)別
信息來(lái)源：本站 日期：2017-07-31
MOS的集成 :CMOS，BiCMOS/BiMOS,HV-CMOS
CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體)器件是目前比擬成熟的半導(dǎo)休集成下藝之一，能夠了解為集成電路中的橫向構(gòu)造MOSFET，為了進(jìn)步開(kāi)關(guān)速度，降低功耗，采用一個(gè)N溝道(NMOS)和一個(gè)P溝道(PMOS)的互補(bǔ)構(gòu)造作為一個(gè)MOSFET來(lái)運(yùn)用(圖1. 30)。CMOS的這種構(gòu)造互補(bǔ)構(gòu)造組成的電路方式在集成電路中應(yīng)用比擬廣泛，也不只限于FET，BJT也能夠，這種電路方式也稱為圖騰柱。與CMOS有關(guān)的公開(kāi)材料相當(dāng)豐厚，中文材料也是如此，這里不再贅述。
CMOS曾經(jīng)普遍用于RAM和ROM中，直到目前，CMOS依然是最為省電的數(shù)字邏輯電路，也被以為是最為地道的邏輯電路，在請(qǐng)求性價(jià)比的應(yīng)用中，F(xiàn)lash ROM和BiCMOS逐步取代了CMOS。換言之，在很多應(yīng)用中，假如本錢(qián)不是問(wèn)題，CMOS的優(yōu)勢(shì)依然不可替代，CMOS RAM采用普通的堿性電池供電叮以堅(jiān)持?jǐn)?shù)據(jù)長(zhǎng)達(dá)7年左右。
BiCMOS( Bipolar CMOS)與BiMOS是同義詞，是雙極工藝和CMOS工藝的混血兒，這種本來(lái)是針對(duì)雙極性器件與MOS器件難以在同一芯片上集成的混合丁藝，目前具有尤叮比較的本錢(qián)優(yōu)勢(shì)，并且叮以用于功率晶體管和IC的制造。
目前常用場(chǎng)效應(yīng)管、KIAmos管的功率控制IC的常見(jiàn)工藝根本上就是上述兩大類：BiCMOS和HV-CMOS，本來(lái)非主流的SOI( Silicon-On-Insulator，硅隔離)工藝正在開(kāi)展中(圖1. 31)。
進(jìn)步電壓規(guī)格能夠有效進(jìn)步控制功率，而且有些器件的驅(qū)動(dòng)確實(shí)需求比擬高的電壓，如目前新興的大屏幕FPD（Flat-Panel Displays，平板顯現(xiàn)屏）中的PDP( Plasma Display Panels，等離子顯現(xiàn)屏)、FF.D( Field，F(xiàn).mission Displays，場(chǎng)致發(fā)射顯現(xiàn)屏)、EL(Electro Luminescent Displays，電致發(fā)光顯現(xiàn)屏)等等。
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