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導(dǎo)通瞬間基極驅(qū)動(dòng)

信息來(lái)源:本站 日期:2017-05-18 

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導(dǎo)通瞬間基極過(guò)驅(qū)動(dòng)峰值輸入電流/bl為了保證迅速導(dǎo)通集電極電流,需要有一個(gè)持續(xù)時(shí)間很短且峰值約為導(dǎo)通期間平均值2~3倍的基極尖峰電流供給基極。該尖峰的持續(xù)時(shí)間僅為最小導(dǎo)通時(shí)間的2%-3%,如圖8.2  (a )所示。


圖 8.2  (b)給出了這種 “ 導(dǎo)通過(guò)MOS管驅(qū)動(dòng)” 效應(yīng)的圖示。如果對(duì)導(dǎo)速度沒(méi)有要求,則為了 獲得要求的集電極電流 ( Ic1) 所需要的基極輸入電流 ( /bl ) 只要滿足將電壓 Vee降低到集電極負(fù)載線和lc/Vce曲線的交點(diǎn)處的飽和電壓Vce(at)的水平上就可以了。在滿足上面要求的/bl的作用下,集電極電流將以某個(gè)時(shí)間常數(shù)ta呈指數(shù)上升,并且在3ta的時(shí)間內(nèi)進(jìn)入 lci5%的范圍內(nèi)。


然而,若基極電流為2Ib1(過(guò)驅(qū)動(dòng)系數(shù)為2),集電極電流將迅速上升,直至2/cl.如果沒(méi)有電源電壓和負(fù)載阻抗的限制,它將在相同的時(shí)間3ta后達(dá)到2Ic1。但由于集電極電流受電源電壓和負(fù)載阻抗的限制,它只能達(dá)到lci.因此集電極電流僅需要0.69兒ta的時(shí)間內(nèi)達(dá)到期望值lci,而非3ta.類似地,如果過(guò)驅(qū)動(dòng)系數(shù)為3(/b=3/b1),則集電極電流會(huì)迅速上升,直到接近于 3lc1 。

如果沒(méi)有負(fù)載阻抗和電源電壓的限制,將在相同的時(shí)間3ta 后達(dá)到 3Ic1。但事實(shí)上集電極電 流受到限制,它只能達(dá)到 lcl。因此集電極電流是在 0.4ta 時(shí)間內(nèi)達(dá)到期望值 lc1的,而非3ta為加速晶體管的導(dǎo)通,過(guò)驅(qū)動(dòng)系數(shù)通常選為2-3。這個(gè)過(guò)驅(qū)動(dòng)系數(shù)用于具有典型B值的晶體管。B值低的晶體管速度很快,不需要高的過(guò)驅(qū)動(dòng)系數(shù)。而B(niǎo)值高的晶體管速度慢,其相 應(yīng)的過(guò)驅(qū)動(dòng)系數(shù)大約為典型B值晶體管的兩倍。



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