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主板MOS管-主板MOS管擊穿原因分析和解決方案-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2018-07-23 

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主板

什么是主板?可能大家都知道電腦主板這個(gè)部件,但關(guān)于主板的學(xué)問(wèn)卻了解的不多,為了大家更好的學(xué)習(xí)計(jì)算機(jī)方面的學(xué)問(wèn),今天小編給大家進(jìn)步下主板的細(xì)致學(xué)問(wèn),讓大家慢慢告別電腦小白。主板,又叫主機(jī)板(mainboard)、系統(tǒng)板(systemboard)或母板(motherboard),它安裝在機(jī)箱內(nèi),是計(jì)算機(jī)最基本的也是最重要的部件之一。

主板普通為矩形電路板,上面安裝了組成計(jì)算機(jī)的主要電路系統(tǒng),普通有BIOS芯片、I/O控制芯片、鍵盤(pán)和面板控制開(kāi)關(guān)接口、指示燈插接件、擴(kuò)展插槽、主板及插卡的直流電源供電接插件等元件。

所以個(gè)人以為將主板單純的以為只是一塊集成PC插槽的電路板是不確切的。固然往常的主板對(duì)PC性能的影響曾經(jīng)越來(lái)越小,但是主板就好比PC主機(jī)的骨骼和經(jīng)絡(luò),選擇一塊具有恰當(dāng)功用(例如ITX主板對(duì)安裝兼容性和無(wú)線功用的需求)和與其他配置相匹配的電氣性能的主板還是很有必要的,關(guān)于主板,用戶主要需考兼容、穩(wěn)定性、擴(kuò)展即可,優(yōu)先建議選擇主流型號(hào)品牌主板,穩(wěn)定性更有保證。

主板MOS管擊穿


首先了解下主板各部件稱(chēng)號(hào):

A:CPU插槽

B:內(nèi)存條插槽

C:BIOS芯片

D:AGP插槽

E:北橋芯片

F:PCI-E-1X芯片(最短)

G:PCI-E-16X芯片(防固點(diǎn)在上方)

H:PCI插槽(2條或3條平行,防固點(diǎn)在下方)

L:南橋芯片

M:IDE接口(并行)

N:電源插座

O:軟驅(qū)插座FLOPY

P:SATA接口(串行)

Q:CMOS電池

R:CPU供電電源插座


主板的板型分類(lèi)

主板的板型分類(lèi)是在選擇主板時(shí)首先要思索的問(wèn)題之一,主板的板型會(huì)決議整臺(tái)PC的大小與相應(yīng)的擴(kuò)展性。臺(tái)式電腦的主板板型主要經(jīng)過(guò)數(shù)主板的擴(kuò)展插槽數(shù)來(lái)判別,以下是目前常見(jiàn)的主板板型。其中最常見(jiàn)的就是ATX(大板),M-ATX(小板),ITX。ATX主板比較適宜安裝在中塔機(jī)箱中,M-ATX比較適宜中塔\迷你塔機(jī)箱,ITX主板比較適宜HTPC機(jī)箱。E-ATX、XL-ATX、HTPX則相對(duì)較少有相關(guān)產(chǎn)品,產(chǎn)品更多的集中在旗艦級(jí)產(chǎn)品或效勞器級(jí)產(chǎn)品。

主板MOS管擊穿


主板MOS管穿通擊穿的特征

(1)穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟,擊穿過(guò)程中,電流有逐漸增大的特征,這是因?yàn)楹谋M層擴(kuò)展較寬,發(fā)生電流較大。另一方面,耗盡層展廣大容易發(fā)生DIBL效應(yīng),使源襯底結(jié)正偏呈現(xiàn)電流逐漸增大的特征。

(2)穿通擊穿的軟擊穿點(diǎn)發(fā)生在源漏的耗盡層相接時(shí),此刻源端的載流子注入到耗盡層中, 被耗盡層中的電場(chǎng)加快到達(dá)漏端,因此,穿通擊穿的電流也有急劇增大點(diǎn),這個(gè)電流的急劇增大和雪崩擊穿時(shí)電流急劇增大不同,這時(shí)的電流相當(dāng)于源襯底PN結(jié)正向?qū)〞r(shí)的電流,而雪崩擊穿時(shí)的電流主要為PN結(jié)反向擊穿時(shí)的雪崩電流,如不作限流,雪崩擊穿的電流要大。

(3)穿通擊穿一般不會(huì)呈現(xiàn)破壞性擊穿。因?yàn)榇┩〒舸﹫?chǎng)強(qiáng)沒(méi)有到達(dá)雪崩擊穿的場(chǎng)強(qiáng),不會(huì)發(fā)生許多電子空穴對(duì)。

(4)穿通擊穿一般發(fā)生在溝道體內(nèi),溝道外表不容易發(fā)生穿通,這主要是因?yàn)闇系雷⑷胧雇獗頋舛缺葷舛却髽?gòu)成,所以,對(duì)NMOS管一般都有防穿通注入。

(5)一般的,鳥(niǎo)嘴邊際的濃度比溝道中心濃度大,所以穿通擊穿一般發(fā)生在溝道中心。

(6)多晶柵長(zhǎng)度對(duì)穿通擊穿是有影響的,跟著柵長(zhǎng)度添加,擊穿增大。而對(duì)雪崩擊穿,嚴(yán)格來(lái)說(shuō)也有影響,可是沒(méi)有那么明顯。


主板MOS管被擊穿的原因及解決方案

第一、MOS管本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又十分小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電,而少數(shù)電荷就可在極間電容上構(gòu)成相當(dāng)高的電壓(U=Q/C),將管子損壞。盡管MOS輸入端有抗靜電的維護(hù)措施,但仍需當(dāng)心對(duì)待,在存儲(chǔ)和運(yùn)送中最好用金屬容器或許導(dǎo)電資料包裝,不要放在易發(fā)生靜電高壓的化工資料或化纖織物中。拼裝、調(diào)試時(shí),東西、外表、工作臺(tái)等均應(yīng)杰出接地。要避免操作人員的靜電攪擾構(gòu)成的損壞,如不宜穿尼龍、化纖衣服,手或東西在觸摸集成塊前最好先接一下地。對(duì)器材引線矯直曲折或人工焊接時(shí),運(yùn)用的設(shè)備有必要杰出接地。

第二、MOS電路輸入端的維護(hù)二極管,其導(dǎo)通時(shí)電流容限一般為1mA 在可能呈現(xiàn)過(guò)大瞬態(tài)輸入電流(超越10mA)時(shí),應(yīng)串接輸入維護(hù)電阻。而129#在初期設(shè)計(jì)時(shí)沒(méi)有參加維護(hù)電阻,所以這也是MOS管可能擊穿的原因,而經(jīng)過(guò)替換一個(gè)內(nèi)部有維護(hù)電阻的MOS管應(yīng)可避免此種失效的發(fā)生。還有因?yàn)榫S護(hù)電路吸收的瞬間能量有限,太大的瞬間信號(hào)和過(guò)高的靜電電壓將使維護(hù)電路失去效果。所以焊接時(shí)電烙鐵有必要可靠接地,以防漏電擊穿器材輸入端,一般運(yùn)用時(shí),可斷電后使用電烙鐵的余熱進(jìn)行焊接,并先焊其接地管腳。

MOS是電壓驅(qū)動(dòng)元件,對(duì)電壓很敏感,懸空的G很容易接受外部攪擾使MOS導(dǎo)通,外部攪擾信號(hào)對(duì)G-S結(jié)電容充電,這個(gè)細(xì)小的電荷能夠貯存很長(zhǎng)時(shí)刻。在實(shí)驗(yàn)中G懸空很風(fēng)險(xiǎn),許多就因?yàn)檫@樣爆管,G接個(gè)下拉電阻對(duì)地,旁路攪擾信號(hào)就不會(huì)直通了,一般能夠10~20K。

這個(gè)電阻稱(chēng)為柵極電阻。效果1:為場(chǎng)效應(yīng)管供給偏置電壓;效果2:起到瀉放電阻的效果(維護(hù)柵極G~源極S)。榜首個(gè)效果好了解,這兒解釋一下第二個(gè)效果的原理:維護(hù)柵極G~源極S:場(chǎng)效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少數(shù)的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩頭發(fā)生很高的電壓,如果不及時(shí)把這些少數(shù)的靜電瀉放掉,他兩頭的高壓就有可能使場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)生誤動(dòng)作,甚至有可能擊穿其G-S極;這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉,然后起到了維護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管的效果。


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