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MOS管參數(shù)大全

信息來(lái)源：本站　日期：2017-04-27　

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Mosfet參數(shù)意義闡明 Features:


Vds：    DS擊穿電壓.當(dāng)Vgs=0V時(shí)，MOS的DS所能承受的最大電壓
Rds(on)：DS的導(dǎo)通電阻.當(dāng)Vgs=10V時(shí)，MOS的DS之間的電阻



Id：     最大DS電流.會(huì)隨溫度的增加而下降
Vgs:     最大GS電壓.通常為：-20V~+20V


Pd:      最大耗散功率

Tj:      最大作業(yè)結(jié)溫，通常為150度和175度

Tstg:    最大存儲(chǔ)溫度

Idm:     最大脈沖DS電流.會(huì)隨溫度的增加而下降，表現(xiàn)一個(gè)抗沖擊才華，跟脈沖時(shí)刻也有聯(lián)絡(luò)

Iar:     雪崩電流

Ear:     重復(fù)雪崩擊穿能量

BVdss：  DS擊穿電壓  Idss:    豐滿DS電流，uA級(jí)的電流 Eas:     單次脈沖雪崩擊穿能量  Igss:    GS驅(qū)動(dòng)電流，nA級(jí)的電流.

Eas:     單次脈沖雪崩擊穿能量

gfs:     跨導(dǎo)  Qg:      G總充電電量

Qgs:     GS充電電量

Eas:     單次脈沖雪崩擊穿能量

Qgd:     GD充電電量

Td(on):  導(dǎo)通推遲時(shí)刻，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時(shí)刻


Tr:      上升時(shí)刻，輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時(shí)刻
Td(off): 關(guān)斷推遲時(shí)刻，輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時(shí) 10% 的時(shí)刻


Ciss:    輸入電容，Ciss=Cgd + Cgs.

Tf:      下降時(shí)刻，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時(shí)刻

Coss:    輸出電容，Coss=Cds +Cgd.  Crss:    反向傳輸電容，Crss=Cgc.

聯(lián)系方式：鄒先生

手機(jī)：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


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