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應(yīng)用領(lǐng)域

電動(dòng)車控制器 場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用方案參數(shù)及測(cè)量MOS管方式等-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2018-10-03 

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電動(dòng)車控制器場(chǎng)效應(yīng)管

1、MOS在控制器電路中的工作狀態(tài)

開(kāi)通過(guò)程、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程、截止?fàn)顟B(tài)、擊穿狀態(tài)。  

MOS主要損耗包括開(kāi)關(guān)損耗(開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程),導(dǎo)通損耗,截止損耗(漏電流引起的,這個(gè)忽略不計(jì)),還有雪崩能量損耗。電動(dòng)車控制器場(chǎng)效應(yīng)管只要把這些損耗控制在MOS承受規(guī)格之內(nèi),MOS即會(huì)正常工作,超出承受范圍,即發(fā)生損壞。

而開(kāi)關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗,尤其是PWM沒(méi)完全打開(kāi),處于脈寬調(diào)制狀態(tài)時(shí)(對(duì)應(yīng)電動(dòng)車的起步加速狀態(tài)),而最高急速狀態(tài)往往是導(dǎo)通損耗為主。


2、 MOS管在電動(dòng)車控制器中的作用

電動(dòng)車控制器場(chǎng)效應(yīng)管簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)電機(jī)是靠MOS的輸出電流來(lái)驅(qū)動(dòng)的,輸出電流越大(為了防止過(guò)流燒壞MOS管,控制器有限流保護(hù)),電機(jī)扭矩就強(qiáng),加速就有力。


3、MOS損壞主要原因

過(guò)流,大電流引起的高溫?fù)p壞(分持續(xù)大電流和瞬間超大電流脈沖導(dǎo)致結(jié)溫超過(guò)承受值);過(guò)壓,源漏級(jí)大于擊穿電壓而擊穿;柵極擊穿,一般由于柵極電壓受外界或驅(qū)動(dòng)電路損壞超過(guò)允許最高電壓(柵極電壓一般需低于20v安全)以及靜電損壞。


4、MOS在電動(dòng)車控制器中的應(yīng)用

我們電動(dòng)車控制器場(chǎng)效應(yīng)管和平常cmos集成電路中的小功率mos結(jié)構(gòu)是不一樣的。小功率mos是平面型結(jié)構(gòu)。而電動(dòng)車上上用的功率mos是立體結(jié)構(gòu)。平面型結(jié)構(gòu)是指,mos柵極,源級(jí)和漏級(jí)都在芯片表面(或者說(shuō)正面),而溝道也在芯片表面橫向排列。(我們常見(jiàn)的教科書(shū)的介紹mos原理一般都是拿平面結(jié)構(gòu)介紹)。而功率mos的立體結(jié)構(gòu)(溝道是深槽立體結(jié)構(gòu))是柵極和源級(jí)引線從芯片正面引出(其實(shí)柵極也不在表面而是內(nèi)部,只是比較靠近表面),而漏級(jí)是從芯片背面引出(其實(shí)整個(gè)芯片背面都是漏級(jí)連接在一起的,整個(gè)個(gè)漏級(jí)用焊接材料直接焊接在金屬板上,就是mos的金屬背板,一般是銅鍍錫的),所以我們見(jiàn)到的mos一般金屬板和中間引腳(就是漏級(jí))是完全導(dǎo)通的(有些特殊的封裝是可以做到金屬板和中間腳絕緣的)。

功率mos內(nèi)部從漏級(jí)到源級(jí)是有一個(gè)二極管的,這個(gè)二極管基本上所有的功率mos都具有,和它本身結(jié)構(gòu)有關(guān)系(不需要單獨(dú)制造,設(shè)計(jì)本身就有)。當(dāng)然可以通過(guò)改變?cè)O(shè)計(jì)制造工藝,不造出這個(gè)二極管。但是這會(huì)影響芯片功率密度,要做到同樣耐壓和內(nèi)阻,需要更大的芯片面積(因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)不同)。大家只是知道這回事就行了。

我們所見(jiàn)的電動(dòng)車控制器場(chǎng)效應(yīng)管,其實(shí)內(nèi)部由成千上萬(wàn)個(gè)小mos管并聯(lián)而成(實(shí)際數(shù)量一般是上千萬(wàn)個(gè),和芯片面積和工藝有關(guān))。如果在工作中,有一個(gè)或幾個(gè)小管短路,則整個(gè)mos表現(xiàn)為短路,當(dāng)然大電流短路mos可能直接燒斷了(有時(shí)表現(xiàn)為金屬板和黑色塑封間開(kāi)裂),又表現(xiàn)為開(kāi)路。大家可能會(huì)想這上千萬(wàn)個(gè)小mos應(yīng)該很容易出現(xiàn)一個(gè)或幾個(gè)壞的吧,其實(shí)真沒(méi)那么容易,目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數(shù)高度一致性。它們的各種開(kāi)關(guān)動(dòng)作幾乎完全一致,當(dāng)然最終燒壞時(shí),肯定有先承受不了的小管先壞。所以管子的穩(wěn)定性和制造工藝密不可分,差的工藝可能導(dǎo)致這些小管的參數(shù)不那么一致。有時(shí)一點(diǎn)小的工藝缺陷(比如一個(gè)1um甚至更小的顆粒如果在關(guān)鍵位置)往往會(huì)造成整個(gè)芯片(缺陷所在的管芯)報(bào)廢。


5、MOS管的開(kāi)關(guān)原理

MOS是電壓驅(qū)動(dòng)型器件,只要柵極G和源級(jí)S間給一個(gè)適當(dāng)電壓,源級(jí)S和漏級(jí)D間導(dǎo)電通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為MOS內(nèi)阻,也就是導(dǎo)通電阻。這個(gè)內(nèi)阻大小基本決定了MOS芯片能承受的最大導(dǎo)通電流(當(dāng)然和其它因素有關(guān),最有關(guān)的是熱阻)。內(nèi)阻越小承受電流越大(因?yàn)榘l(fā)熱?。?。MOS問(wèn)題遠(yuǎn)沒(méi)這么簡(jiǎn)單,麻煩在它的柵極和源級(jí)間,源級(jí)和漏級(jí)間,柵極和漏級(jí)間內(nèi)部都有等效電容。所以給柵極電壓的過(guò)程就是給電容充電的過(guò)程(電容電壓不能突變),所以MOS源級(jí)和漏級(jí)間由截止到導(dǎo)通的開(kāi)通過(guò)程受柵極電容的充電過(guò)程制約。關(guān)斷過(guò)程和這個(gè)相反。


電動(dòng)車控制器場(chǎng)效應(yīng)管主要就是玩怎么最優(yōu)控制它的柵極。但是MOS內(nèi)部這三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系,它們相互影響,并不是獨(dú)立的,如果獨(dú)立的就很簡(jiǎn)單了。其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是柵極和漏級(jí)間的電容Cgd,這個(gè)電容業(yè)界稱為米勒電容。這個(gè)電容不是恒定的,隨柵極和漏級(jí)間電壓變化而迅速變化。這個(gè)米勒電容是柵極和源級(jí)電容充電的絆腳石,因?yàn)檫_(dá)到一個(gè)平臺(tái)后,柵極的充電電流必須給米勒電容充電,這時(shí)柵極和源級(jí)間電壓不再升高,達(dá)到一個(gè)平臺(tái),這個(gè)是米勒平臺(tái)(米勒平臺(tái)就是給Cgd充電的過(guò)程),米勒平臺(tái)大家首先想到的麻煩就是米勒振蕩。


因?yàn)檫@個(gè)時(shí)候源級(jí)和漏級(jí)間電壓迅速變化,內(nèi)部電容相應(yīng)迅速充放電,這些電流脈沖會(huì)導(dǎo)致MOS寄生電感產(chǎn)生很大感抗,這里面就有電容,電感,電阻組成震蕩電路(能形成2個(gè)回路),并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高震蕩幅度越大。所以最頭疼的就是這個(gè)米勒平臺(tái)如何過(guò)渡。


如果開(kāi)關(guān)速度很快,這個(gè)電流變化率很高,振幅加大并震蕩延時(shí)(柵極電壓震蕩劇烈會(huì)影響柵極電容的充電速度,內(nèi)部表現(xiàn)是電容一會(huì)充電,一會(huì)放電)。所以干脆開(kāi)關(guān)慢點(diǎn)(就是柵極電容慢慢充電,用小電流充電),這樣震蕩是明顯減輕了,但是開(kāi)關(guān)損耗增大了。MOS開(kāi)通過(guò)程源級(jí)和漏級(jí)間等效電阻相當(dāng)于從無(wú)窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻(導(dǎo)通內(nèi)阻一般低壓mos只有幾毫歐姆)的一個(gè)轉(zhuǎn)變過(guò)程。比如一個(gè)MOS最大電流100A,電池電壓96V,在開(kāi)通過(guò)程中,有那么一瞬間(剛進(jìn)入米勒平臺(tái)時(shí))MOS發(fā)熱功率是96*100=9600w!這時(shí)它發(fā)熱功率最大,然后發(fā)熱功率迅速降低直到完全導(dǎo)通時(shí)功率變成100*100*0.003=30w(這里假設(shè)這個(gè)mos導(dǎo)通內(nèi)阻3毫歐姆)。開(kāi)關(guān)過(guò)程中這個(gè)發(fā)熱功率變化是驚人的。

如果開(kāi)通時(shí)間慢,意味著發(fā)熱從9600w到30w過(guò)渡的慢,MOS結(jié)溫會(huì)升高的厲害。所以開(kāi)關(guān)越慢,結(jié)溫越高,容易燒MOS。為了不燒MOS,只能降低MOS限流或者降低電池電壓,比如給它限制50a或電壓降低一半成48v,這樣開(kāi)關(guān)發(fā)熱損耗也降低了一半。不燒管子了。這也是高壓控容易燒管子原因,高壓控制器和低壓的只有開(kāi)關(guān)損耗不一樣(開(kāi)關(guān)損耗和電池端電壓基本成正比,假設(shè)限流一樣),導(dǎo)通損耗完全受mos內(nèi)阻決定,和電池電壓沒(méi)任何關(guān)系。我這里說(shuō)的不一定每個(gè)人都需要很懂,大概能知道點(diǎn)就好了,做控制器設(shè)計(jì)的應(yīng)該能理解。


其實(shí)整個(gè)mos開(kāi)通過(guò)程非常復(fù)雜。里面變量太多。總之就是開(kāi)關(guān)慢不容易米勒震蕩,但開(kāi)關(guān)損耗大,管子發(fā)熱大,開(kāi)關(guān)速度快理論上開(kāi)關(guān)損耗低(只要能有效抑制米勒震蕩),但是往往米勒震蕩很厲害(如果米勒震蕩很嚴(yán)重,可能在米勒平臺(tái)就燒管子了),反而開(kāi)關(guān)損耗也大,并且上臂mos震蕩更有可能引起下臂mos誤導(dǎo)通,形成上下臂短路。所以這個(gè)很考驗(yàn)設(shè)計(jì)師的驅(qū)動(dòng)電路布線和主回路布線技能。最終就是找個(gè)平衡點(diǎn)(一般開(kāi)通過(guò)程不超過(guò)1us)。開(kāi)通損耗這個(gè)最簡(jiǎn)單,只和導(dǎo)通電阻成正比,想大電流低損耗找內(nèi)阻低的。



6、Mos封裝

不同封裝方式則內(nèi)部寄生電感差異很大。電動(dòng)車上常用的小管(TO-220封裝)和大管(TO-247封裝)封裝電感都挺大,但是之所以它們用量很高,是因?yàn)檫@種結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計(jì)比較容易(大功率下散熱是非常重要的)。一般大管封裝電感是大于小管的。在控制器設(shè)計(jì)時(shí),mos封裝寄生電感需要考慮,但也許無(wú)法解決,不過(guò)外部布線電感則必須設(shè)計(jì)合理,尤其是多管并聯(lián)時(shí)做到均勻分配。

大管和小管的優(yōu)缺點(diǎn)比較(只這兩種比)。大管優(yōu)點(diǎn),金屬背板面積大所以散熱好做,封裝電阻低(引線粗),所以封裝電流可以做到很大(可以200a左右)。大管缺點(diǎn),占地方大(這個(gè)很明顯),封裝電感稍大。小管優(yōu)點(diǎn),占地方小,封裝電感稍小。小管缺點(diǎn),封裝電阻大(引線細(xì)),封裝電流較小(一般120a以下),金屬板面積小散熱較弱。(封裝電流和芯片過(guò)流能力是兩個(gè)完全不同的概念,有的廠家規(guī)格書(shū)標(biāo)芯片過(guò)流能力,而有的廠家是這兩個(gè)電流哪個(gè)小標(biāo)哪個(gè)。因?yàn)樾〉臎Q定了整個(gè)管子的電流能力。

大管和小管簡(jiǎn)單誤區(qū)及說(shuō)明。千萬(wàn)不要認(rèn)為大管的芯片面積一定大于小管的。有些芯片本來(lái)就有不同的封裝方式,比如分別用小管和大管封裝,其實(shí)它們的芯片面積一樣大,大管封裝只是為了散熱更好些或封裝電流更大些。所以大管封裝里面芯片面積可大可小,同樣小管封裝里面芯片面積也可大可小。不過(guò)大管封裝能容納的最大芯片面積大概是小管封裝的2倍(甚至多點(diǎn))。舉例說(shuō)明,irfb4110用小管封裝,芯片已經(jīng)把小管內(nèi)部填滿了,面積再大小管放不進(jìn)了,而為了得到更低內(nèi)阻管子,所以有大管irfp4468,這個(gè)芯片面積比irfb4110大了一倍,所以它的內(nèi)阻低了一半,各種電容大了一倍。所以一個(gè)4468的芯片成本是4110的2倍(同樣大管封裝成本也比小管高)。所以4468比4110貴了差不多一倍(相當(dāng)于把兩個(gè)4110封裝在一起的等效效果)。


7、電瓶車控制器MOS管測(cè)量方法

簡(jiǎn)單教大家一測(cè)量控制器方法:控制器有6路MOS管,一般控制器壞都是燒MOS管,如何在不打開(kāi)外殼的情況下確定MOS管是否燒壞,方法如下:


1??刂破魇裁淳€也不要接,取下來(lái)。


電動(dòng)車控制器場(chǎng)效應(yīng)管


2 萬(wàn)用表拔到二極管檔,一般在通斷檔上。

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3、任意MOS管內(nèi)部都有一個(gè)二極管,如果MOS管燒了,那二極管肯定燒,所以,量MOS管的二極管好壞就確定了MOS管好壞。按下面的步驟測(cè)量二極管,萬(wàn)用表上穩(wěn)定顯示0.37~0.44V左右電壓,說(shuō)明這路MOS管好的,如果顯示0V電壓,說(shuō)明這路MOS管擊穿;如果顯示0.7V以上電壓,說(shuō)明這路MOS管擊斷。

電動(dòng)車控制器場(chǎng)效應(yīng)管

4.控制器部分的上臂三相的MOS管,黑表筆接副電池正極接入線(純控制器就接正線),紅表筆分別量三條相線

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5.控制器部分的下臂三相的MOS管,紅表筆接主電池負(fù)極接入線(純控制器就接負(fù)線),黑表毛分別量三條相線

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電動(dòng)車控制器領(lǐng)域的時(shí)用到MOS管,跟大家介紹一下MOS管廠家,深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì),集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)

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自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)大的研發(fā)平臺(tái),使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)35項(xiàng),并掌握多項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

KIA半導(dǎo)體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運(yùn)輸、綠色照明四大領(lǐng)域,不僅包括光伏逆變及無(wú)人機(jī)、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細(xì)化與革新,力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。從設(shè)計(jì)研發(fā)到制造再到倉(cāng)儲(chǔ)物流,KIA半導(dǎo)體真正實(shí)現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈,真正做到了服務(wù)細(xì)節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵,我們致力于成為場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者,為了這個(gè)目標(biāo),KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新,永不止步!


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